長飛先進半導體第三代半導體功率器件研發生產基地落戶光谷
(資料圖片僅供參考)
據中國光谷官微，8月25日，武漢市東湖高新區管委會與長飛先進半導體簽署了第三代半導體功率器件研發生產基地項目合作協議書。長飛先進第三代半導體功率器件研發生產基地項目總投資預計超過200億元，其中項目一期總投資100億元，可年產36萬片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設計、晶圓制造、封裝等。
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