(資料圖片僅供參考)
據(jù)中國(guó)光谷官微,8月25日,武漢市東湖高新區(qū)管委會(huì)與長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體簽署了第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目合作協(xié)議書(shū)。長(zhǎng)飛先進(jìn)第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目總投資預(yù)計(jì)超過(guò)200億元,其中項(xiàng)目一期總投資100億元,可年產(chǎn)36萬(wàn)片SiC MOSFET晶圓,包括外延、器件設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝等。
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